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Author: M. Caccia, Andrea Pizzamiglio, Niccolò Radice

Institute: University of Insubria

Abstract
Un fotodiodo a valanga (Avalanche Photo Diode APD), schematizzato in figura 1, è un particolare fotodiodo caratterizzato da quattro strati di semiconduttore drogati asimmetricamente.
1. La zona p+, molto drogata, con Na1 accettori (accettori/ μm3 > 105);
2. La zona i(p), intrinseca, utile a tenere pressochè costante il campo elettrico, a migliorare l’efficienza quantica QE (numero di cariche elettriche rilasciate per ciascun quanto di luce assorbito) e a diminuire la capacità di giunzione;
3. La zona p, drogata con Na2 accettori (con Na1 < Na2);
4. La zona n+, caratterizzata dalla presenza di molti atomi Nd donatori (donatori/μm3 > 105)