Caratterizzazione fotorivelatore SiPM s13360-1350cs

⏳️ Reading Time: 3 minutes

Author: M. Caccia, Andrea Pizzamiglio, Niccolò Radice

Institute: University of Insubria

Abstract
Un fotodiodo a valanga (Avalanche Photo Diode APD), schematizzato in figura 1, è un particolare fotodiodo caratterizzato da quattro strati di semiconduttore drogati asimmetricamente.
1. La zona p⁺, molto drogata, con Na₁ accettori (accettori/ μm³ > 10⁵);
2. La zona i(p⁻), intrinseca, utile a tenere pressochè costante il campo elettrico, a migliorare l’efficienza quantica QE (numero di cariche elettriche rilasciate per ciascun quanto di luce assorbito) e a diminuire la capacità di giunzione;
3. La zona p, drogata con Na₂ accettori (con Na₁ < N_a2);
4. La zona n⁺, caratterizzata dalla presenza di molti atomi Nd donatori (donatori/μm₃ > 105)